Компания Micron решила увеличить свои производственные мощности по выпуску памяти NAND на фоне растущего спроса. В этой связи ей предстоит построить новый завод в Сингапуре, который обойдется в 24 миллиарда долларов. Ожидается, что благодаря этому проекту объёмы производства памяти увеличатся более чем в два раза. Однако, стоит учесть, что реализация намерений займет много времени — более 10 лет. Часть производственных линий может стартовать раньше, но основной проект остается масштабным.
Новая фабрика под названием Fab 10B расположится на территории уже действующего комплекса компании в North Coast Wafer Fab Park в Сингапуре. Эти значительные инвестиции свидетельствуют о долгосрочной стратегии Micron, направленной на укрепление позиций Сингапура как одного из ключевых узлов в глобальной производственной сети, что также будет способствовать стабильности цепочки поставок и развитию инновационной экосистемы.
Кроме того, данный завод станет первым в стране двухэтажным производственным объектом в сфере полупроводников, что позволит более эффективно использовать пространство и поэтапно реализовывать строительство.
Вопрос-ответ
Зачем компания Micron строит новый завод?
Micron строит новый завод в Сингапуре из-за растущего спроса на память NAND. Главная цель — увеличить производственные мощности и более чем в два раза нарастить объёмы выпуска продукции, а также укрепить стабильность глобальной цепочки поставок.
Какова стоимость и сроки реализации этого проекта?
Стоимость строительства нового завода оценивается в 24 миллиарда долларов. Полная реализация проекта является долгосрочной и займет более 10 лет, хотя запуск отдельных производственных линий возможен и раньше.
Где будет расположена новая фабрика и в чем ее особенность?
Новая фабрика, получившая название Fab 10B, будет построена на территории действующего комплекса Micron в North Coast Wafer Fab Park в Сингапуре. Ее уникальность заключается в том, что это будет первый в стране двухэтажный производственный объект в сфере полупроводников, что позволяет более эффективно использовать пространство.